詳細摘要： 日本JEOL 場發(fā)射電子探針顯微分析儀 JXA-8530F Plus ，采用浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍,優(yōu)化了角電流密度，能利用2 A以上的大探針電流進行分析，還...

詳細摘要： JEM-1000 超高壓透射電子顯微鏡，由于超高壓透射電子顯微鏡的加速電壓很高電子波長很短，即使增大物鏡極靴之間的間隙，也能獲得高分辨率的圖像。此外，電子束具有...

詳細摘要： 德國Zeiss SIGMA 300 場發(fā)射電子顯微鏡，Gemini鏡筒，超高的束流穩(wěn)定性，的低電壓性能，In Lens 探測器，磁性材料高分辨觀察，X射線分析設(shè)...

詳細摘要： KSIV300E 單探頭超聲波掃描顯微鏡,X軸和Y軸驅(qū)動系統(tǒng)全是磁懸浮高速線性電機, X、Y軸有效掃描區(qū)域：300mm300mm,X、Y軸的重復(fù)精度：0.1um...

詳細摘要： KSI V400E 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，掃描速度可達：1000mm/s 或 2000mm/s，兩種規(guī)格可選,掃描范圍：400mm400mm 或 400...

詳細摘要： KSI v1000E 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，掃描速度：2000 mm/s, 掃描范圍：1000mm700mm.

詳細摘要： KSI V-Octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能限度的確?？焖賵D像采集和高效能。掃描速度：2000 mm/s,掃描范圍：100...

詳細摘要： KSI V-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，多工系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器,掃描速度：2000 mm/s, 掃描范圍：1000mm700mm

詳細摘要： KSI－Nano型高分辨率表層缺陷超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，聲學(xué)顯微成像系統(tǒng)和光學(xué)顯微成像系統(tǒng)的結(jié)合.換能器頻率范圍：100MHz2000MHz頻率實現(xiàn)高分辨率,放...

詳細摘要： KSI－ 凱斯安i-Ingot型全自動晶錠分析檢測系統(tǒng)，適用于對晶錠的無損檢測，有了它，晶錠內(nèi)部的裂縫或雜質(zhì)就能得到快速檢測，晶錠的尺寸可達450mm，檢測時間...

詳細摘要： KSI i-Wafer晶圓缺陷檢測系統(tǒng)，是一款儀器，操作人員可選擇接收/拒絕標準，手動或自動檢測晶圓。在KSI i-Wafer的探測下，晶圓中的孔隙、分層或者雜...

詳細摘要： SE 800 PV 激光橢偏儀，SENTECH設(shè)計了SE 800 PV，用于表征由SiNx/SiO2、SiNx/SiNy或SiNx/Al2O3組成的多層鈍化膜和...

詳細摘要： 激光橢偏儀SE 400adv PV.是化使用的標準儀器，用于測量PV單層防反射涂層的厚度和折射率指數(shù)。特別用于表征單晶和多晶硅太陽能電池上的SiNx 防反射單層...

詳細摘要： 德國Sentech光伏測量儀器 RT Inline， RT Inline薄膜反射和透射的在線監(jiān)測系統(tǒng)，反射率、透射率和膜厚的高速在線測量是RT Inline的設(shè)...

詳細摘要： 德國Sentech光伏測量儀MDPspot，靈活的自動掃描系統(tǒng)，具有成本效益的臺式少子壽命測試儀MDPspot可用于表征晶片或面。它為少子壽命測量提供了一個測量...

詳細摘要： 離線工具MDPmap是專為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設(shè)計的。MDPmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns...

詳細摘要： ENperc PV 光伏測量儀，太陽能電池制造中的質(zhì)量控制解決方案SENperc PV，是PERC電池制造質(zhì)量控制的創(chuàng)新解決方案。SENperc PV 測量Al...

詳細摘要： 自動掃描薄膜測量儀器SenSol:SenSol是SENTECH光伏產(chǎn)品組合中的自動大面積掃描儀器。自動表征膜厚、薄層電阻、霧度、反射和透射的均勻性。使用SenS...

詳細摘要： MDPpro激光掃描系統(tǒng)，少子壽命測量儀器的特征在于以1mm分辨率對500mm的一個面在不到4分鐘內(nèi)完成掃描。電阻率和少子壽命的測量*無觸摸。利用微波檢測光電導(dǎo)...

詳細摘要： MDPinlinescan在線壽命和電阻率逐行掃描儀，各種不同的樣品，從單晶硅到多晶硅，從生長的晶片到加工過的晶片，都可以通過MDPlinescan使用少子壽命...