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低能離子注入機(jī) 詳細(xì)摘要: 低能離子注入機(jī)一:概述低能離子注入機(jī)可以通過(guò)離子源產(chǎn)生超低能量的離子束,在經(jīng)過(guò)二極磁鐵偏轉(zhuǎn)之后,過(guò)濾掉不同荷質(zhì)比的離子,只留下所需的離子種類和能量的離子束可以穿...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地: 更新時(shí)間:2021-11-12 參考價(jià): 面議 在線留言 -
感應(yīng)耦合等離子體刻蝕設(shè)備(ICP) 詳細(xì)摘要: 感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)產(chǎn)品性能及特點(diǎn)◆設(shè)備穩(wěn)定可靠、工藝,主要用于半導(dǎo)體制造工藝中的介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕以及金屬刻蝕工藝,也能用于太陽(yáng)能電池片RIE工藝
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EB系列電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備 詳細(xì)摘要: EB系列電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備產(chǎn)品介紹廣泛用于半導(dǎo)體、LED生產(chǎn)線批量生產(chǎn),可滿足鋁、鈦、鉻、鉬、釩、鎳、銀、銦等金屬,ITO等氧化物在基片上均勻沉積薄膜的各類工藝...
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PECVD) 詳細(xì)摘要: 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PECVD)產(chǎn)品介紹◆用工控機(jī)對(duì)工藝時(shí)間,溫度,氣體流量,閥門動(dòng)作,反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化控制
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石墨烯、碳納米管材料CVD設(shè)備 詳細(xì)摘要: 石墨烯、碳納米管材料CVD設(shè)備石墨烯、碳納米管材料納米材料CVD設(shè)備Graphene、Nano-materialsCVD產(chǎn)品介紹該設(shè)備主要用于石墨烯、納米材料工...
產(chǎn)品型號(hào): 所在地: 更新時(shí)間:2021-11-12 參考價(jià): 面議 在線留言 -
擴(kuò)散爐 詳細(xì)摘要: 閉管軟著陸擴(kuò)散系統(tǒng)ClosedTubeSoftLandingDiffusionFurnace產(chǎn)品介紹ProductIntroduction◆閉管磷擴(kuò)散、硼擴(kuò)散,...
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快速退火爐 詳細(xì)摘要: 1、溫度范圍:150-1200℃
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低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備(LPCVD) 詳細(xì)摘要: 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備(LPCVD)產(chǎn)品介紹LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜
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