單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀是一種常見的物**相沉積(PVD)技術(shù),用于制備各種薄膜材料。其工作原理是使用一種叫做磁控濺射的技術(shù),將高純度的金屬或合金靶材濺射生成離子和中性原子,并將它們沉積在基底上形成薄膜。在這種濺射系統(tǒng)中,使用單個靶材,通常是金屬或合金的圓盤形,通過在靶材上施加高電壓和磁場,將靶材表面的粒子加速并噴向基底。由于基底通常是經(jīng)過高溫處理過的,因此濺射的金屬粒子會快速擴散并形成均勻的薄膜。
為了增加濺射速率和膜質(zhì)量,光纖繞絲技術(shù)被引入其中。在光纖繞絲技術(shù)中,將纖維繞在靶材和基底之間,形成一條薄薄的縫隙。通過調(diào)整靶材和基底之間的距離并控制濺射能量,可以更加**地控制沉積在基底上的薄膜的厚度和組成。
單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀是一種用于制備薄膜的設(shè)備。它可以在基板表面形成均勻、致密、薄且具有特定性質(zhì)的膜層。
這種濺射系統(tǒng)非常適合制備高質(zhì)量、高純度、均勻性好的金屬和合金薄膜,廣泛應(yīng)用于微電子、光學、電池、太陽能電池等領(lǐng)域。
1. 光學薄膜制備:用于制作高反射、抗反射等光學薄膜。
2. 電子器件制備:用于制備半導體器件、導電膜等。
3. 光學器件制備:用于制備太陽能電池、液晶顯示器、LED等器件。
4. 防護涂層制備:用于制備具有防水、防油、防紫外線、防磨損等性能的涂層。
總的來說,單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀廣泛應(yīng)用于科研和工業(yè)領(lǐng)域中的薄膜制備。
單靶磁控光纖繞絲濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù):
繞絲機構(gòu) 尺寸 Φ15mmx245mm 繞絲速度 1-300r/min 磁控濺射頭 數(shù)量 2 英寸 x1 冷卻方式 水冷 真空腔體 腔體尺寸 Φ213mm X 307mm 觀察窗口 φ80mm 腔體材料 不銹鋼 304 開啟方式 上頂開式、左側(cè)開式 電源配置 直流電源數(shù)量 1 臺 輸出功率 ≤300W 匹配方式 自動匹配 水冷系統(tǒng) 水箱容積 9L 流量 10L/min 供氣系統(tǒng) 類型 手動微量調(diào)節(jié)閥 真空系統(tǒng) 前級泵 雙極旋片泵 抽速 1.1L/s 次級泵 渦輪分子泵 抽速 60L/s 抽氣口 ISO63 出氣口 KF16 真空計 復合真空計 其他 供電電壓 AC220V,50Hz 整機功率 2kw