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桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控...

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具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱鄭州成越科學儀器有限公司
品牌
型號CY-MSP190S-1T-UD
所在地
廠商性質(zhì)其他
更新時間2023/2/16 9:25:11
訪問次數(shù)267

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鄭州成越科學儀器有限公司位于鄭州*開發(fā)區(qū)863軟件園內(nèi)，是一家專業(yè)從事材料制備設(shè)備和材料制備原料代理的高科技公司。重點專注于CVD石墨烯制備設(shè)備、熒光粉燒結(jié)設(shè)備、氧化鋯生物陶瓷燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備、陶瓷材料的微波燒結(jié)、稀有金屬的區(qū)域提純等研究發(fā)展方向，立志做材料制備技術(shù)及設(shè)備和原料的提供商。鄭州成越科學儀器有限公司的“研發(fā)團隊”憑借自身在熱處理技術(shù)方面的專業(yè)知識和豐富的實踐經(jīng)驗，先后研發(fā)出了多款材料制備設(shè)備。主要產(chǎn)品有：微波燒結(jié)爐、真空管式爐、箱式電阻爐、高頻感應爐、氧化鋯燒結(jié)爐、熒光粉燒結(jié)爐、晶體退火爐、電池材料燒結(jié)爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐、CVD管式爐等；其他的產(chǎn)品還有：等離子清洗機、真空手套箱、真空干燥箱、環(huán)境模擬測試柜、行星球磨機、高純石英管、99剛玉管、真空法蘭等。鄭州成越科學儀器有限公司近年來，在社會各界的關(guān)心支持下，公司不斷發(fā)展壯大，與國內(nèi)外多所高校和科研單位建立起了合作關(guān)系；公司還聘請了多位國內(nèi)外重點高校的教授，博導為公司常年的技術(shù)顧問，他們時刻與國內(nèi)外學術(shù)界保持交流，出國訪問，并親臨一線指導產(chǎn)品的生產(chǎn)和研發(fā)，使我公司的產(chǎn)品不斷完善，并緊跟世界研究熱點，推出相關(guān)的新產(chǎn)品。產(chǎn)品遠銷歐美、日韓等國家，并在國內(nèi)外市場獲得業(yè)界*。如果您正在被國貨的產(chǎn)品質(zhì)量所困擾，選擇我們將改變您對國貨的某些觀念；如果您正在為自己的實驗方案的實施而茫然，選擇我們將有專業(yè)的技術(shù)團隊為您量身定做！如果您正在為故障設(shè)備的售后無人理會而發(fā)愁，選擇我們一切的問題將由我們負責到底。

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壓片機

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簡單介紹：本設(shè)備為桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備

桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控... 產(chǎn)品信息

詳情介紹：

本設(shè)備為桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備。

本套配置采用高真空不銹鋼腔體，腔體設(shè)置帶擋板的石英觀察窗，便于實驗的觀察記錄；腔體設(shè)計真空性能優(yōu)良，造型小巧，十分適合實驗室使用。

設(shè)備采用下置靶設(shè)計，和上置靶相比這種設(shè)計能夠更好的規(guī)避屏蔽罩因長時間鍍膜而產(chǎn)生的薄膜碎片脫落的問題，可以更有效的保護樣品。

同時設(shè)備配有旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺，可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質(zhì)量。整機采用模塊化設(shè)計，操作邏輯簡單，操作界面直觀，利于上手。

磁控濺射鍍膜儀

單靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀
產(chǎn)品型號	CY-MSP190S-1T-UD （under下方）
安裝條件	1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh； 2、設(shè)備供電：AC220V，50Hz，必須有良好接地； 3、額定功率：1000w； 4、設(shè)備用氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣清洗，需客戶自備氬氣，純度 ≥99.99%； 5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×700mm，承重 50kg 以上； 6、擺放位置要求通風散熱良好。
技術(shù)參數(shù)	1、濺射電源：直流電源300W；大輸出電壓600V，極限輸出電流500mA 2、磁控靶：下置2英寸平衡靶，配磁耦合擋板； 3、磁控靶適用靶材： φ50mm x 3mm厚 4、腔體尺寸：外徑φ194mm ，內(nèi)徑186mm x 高230mm； 5、腔體材質(zhì)： 304不銹鋼 6、旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺：轉(zhuǎn)速1~20rpm 連續(xù)可調(diào)；加熱溫度高500℃，升溫速度推薦10℃/min，*高20℃/min。 7、冷卻方式：磁控靶及分子泵需要循環(huán)水冷機； 8、水冷機：水箱容積9L，流速10L/min 9、供氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量計，氣體類型Ar氣，流量1~30sccm（可定制）； 10、流量計精度：±1.5%量程 11、真空腔體抽氣接口為 KF40； 12、進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭； 13、顯示屏為7英寸彩色觸摸屏； 14、可調(diào)節(jié)濺射電流，可設(shè)置濺射安全電流值、安全真空值； 15、安全保護：過流、真空過低自動切斷濺射電流； 16、極限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)； 17、真空測量為電阻規(guī)真空計，其量程為：1～10⁵Pa
注意事項	1、磁控濺射工作真空較高，一般在2Pa之內(nèi)，需要配分子泵使用。 2、為了達到較高的無氧環(huán)境，至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。 3、磁控濺射對進氣量比較敏感，需要使用質(zhì)量流量計控制進氣量
可選配件
膜厚監(jiān)測儀	1、膜厚分辨率：0.0136?（鋁） 2、膜厚準確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置，材料應力，溫度和密度 3、測量速度：100ms-1s/次，可設(shè)置測量范圍：500000?（鋁） 4、標準傳感器晶體：6MHz 5、適用晶片頻率：6MHz 適用晶片尺寸：Φ14mm 安裝法蘭：CF35
其他配件	1、CY-CZK103系列高性能分子泵組（含復合真空計，測量范圍10^-5Pa~10⁵Pa）； CY-GZK60系列小型分子泵組（含復合真空計，測量范圍10^-5Pa~10²Pa） VRD-4雙極旋片真空泵； 2、KF40真空波紋管；長度可選0.5m、1m、1.5m；KF40卡箍支架 3、膜厚儀晶振片；