ZEISS GeminiSEM 500場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
GeminiSEM 系列產(chǎn)品
高對(duì)比度、低電壓成像的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
為對(duì)任意樣品進(jìn)行高水準(zhǔn)的成像和分析而生
蔡司GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測(cè)效率,能夠輕松地實(shí)現(xiàn)亞納米分辨成像。無(wú)論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對(duì)任意樣品進(jìn)行成像和分析時(shí)都具備更佳的靈活性,為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室或是顯微成像平臺(tái)中獲取各種類(lèi)型樣品在微觀世界中清晰、真實(shí)的圖像,提供靈活、可靠的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。GeminiSEM 500 具有出色的分辨率,在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強(qiáng)的信號(hào)和更豐富的細(xì)節(jié)信息,其創(chuàng)新設(shè)計(jì)的NanoVP可變壓力模式,甚至讓您在使用時(shí)擁有在高真空模式下工作的感覺(jué);
更強(qiáng)的信號(hào),更豐富的細(xì)節(jié)
GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強(qiáng)的信號(hào)和更豐富的細(xì)節(jié)信息,尤其在低的加速電壓下,在避免樣品損傷的同時(shí)快速地獲取更高清晰度的圖像。
經(jīng)優(yōu)化和增強(qiáng)的Inlens探測(cè)器可高效地采集信號(hào),助您快速地獲取清晰的圖像,并使樣品損傷降至更低;
在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度,二次電子圖像分辨率1 kV達(dá)0.9nm,500 V達(dá)1.0 nm,無(wú)需樣品臺(tái)減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像,為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細(xì)節(jié)信息;
應(yīng)用樣品臺(tái)減速技術(shù)-(Tandem decel),可在1 kV下獲得高達(dá)0.8nm二次電子圖像分辨率;
創(chuàng)新設(shè)計(jì)的可變壓力模式-NanoVP技術(shù),讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺(jué)。
如今,掃描電子顯微鏡(SEM)在低電壓下的高分辨成像能力,已成為其在各項(xiàng)應(yīng)用領(lǐng)域中的標(biāo)準(zhǔn)配置。
低電壓下的高分辨率成像能力,在以下應(yīng)用領(lǐng)域中扮演著尤為重要的角色:
電子束敏感樣品
不導(dǎo)電樣品
獲取樣品極表面的真實(shí)形貌信息
Gemini的革新電子光學(xué)設(shè)計(jì),應(yīng)用高分辨率電子、Nano-twin lens物鏡(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel樣品臺(tái)減速技術(shù)(選配),有效提高了在低電壓時(shí)的信號(hào)采集效率和圖像襯度。
高分辨率電子式:
縮小30%的出射電子束能量展寬,有效地降低像差;
獲得更小的束斑。
Nano-twin lens物鏡:
優(yōu)化靜電場(chǎng)和磁場(chǎng)的復(fù)合功效,在低電壓下具有的更高的分辨率;
提高鏡筒內(nèi)Inlens探測(cè)器在低電壓下的信號(hào)采集效率。
Tandem decel樣品臺(tái)減速技術(shù),進(jìn)一步提高對(duì)適用樣品在低電壓甚*低電壓下的分辨率:
Tandem decel減速技術(shù)將鏡筒內(nèi)減速和樣品臺(tái)偏壓減速技術(shù)相結(jié)合,有效地實(shí)現(xiàn)低著陸電壓;
使用1 kV及以下更低電壓時(shí),鏡筒內(nèi)背散射探測(cè)器的檢測(cè)效率獲得更好地增強(qiáng),低電壓下的分辨率得到進(jìn)一步提高。
對(duì)適用的樣品可以加載高達(dá)-5 kV的樣品臺(tái)偏壓,在低電壓下獲得更高質(zhì)量的圖片
優(yōu)化靜電場(chǎng)和磁場(chǎng)的復(fù)合功效,在低電壓下具有的更高的分辨率;
提高鏡筒內(nèi)Inlens探測(cè)器在低電壓下的信號(hào)采集效率。
ZEISS GeminiSEM 500場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)參數(shù):
基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | ||
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熱場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)€(wěn)定性?xún)?yōu)于0.2 %/h | |||
加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
探針電流 | 3 pA - 20 nA | ||
(100 nA配置可選) | |||
存儲(chǔ)分辨率 | 達(dá)32k × 24k 像素 | ||
放大倍率 | 50 – 2,000,000 | ||
標(biāo)配探測(cè)器 | 鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測(cè)器 | ||
樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測(cè)器 | |||
可選配的 項(xiàng)目 | 鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測(cè)器 | ||
環(huán)形STEM探測(cè)器(aSTEM 4) | |||
EDS能譜儀 | |||
EBSD探測(cè)器(背散射電子衍射) | |||
NanoVP可變壓力模式 | |||
高效VPSE探測(cè)器(包含在NanoVP可變壓力選件中) | |||
局部電荷中和器 | |||
可訂制特殊功能樣品臺(tái) | |||
環(huán)形背散射電子探測(cè)器 | |||
陰極射線熒光探測(cè)器 |