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華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

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  • 型號(hào) HUSTEC-1600A-MT
  • 品牌
  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 深圳市

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更新時(shí)間:2019-11-27 19:04:43瀏覽次數(shù):671

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的IGBT測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力:
可用于IGBT模塊封裝測(cè)試,電動(dòng)車(chē)IGBT模塊檢測(cè),電動(dòng)車(chē)電控部分IGBT測(cè)試;
還可以針對(duì)不同封裝提供IGBT模塊測(cè)試夾具;
華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

詳細(xì)介紹

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的IGBT測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力:可用于IGBT模塊封裝測(cè)試,電動(dòng)車(chē)IGBT模塊檢測(cè),電動(dòng)車(chē)電控部分IGBT測(cè)試;還可以針對(duì)不同封裝提供IGBT模塊測(cè)試夾具;

序號(hào)

測(cè)試項(xiàng)目

描述

測(cè)量范圍

分辨率

1

VF

二極管正向?qū)▔航?/span>

0-40V

1mV

2

IF

二極管正向?qū)娏?/span>

0-1600A

200A時(shí),0.1A

3

>200A時(shí),1A

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0-5000V

1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0-1600A

200A時(shí),0.1A

6

>200A時(shí),1A

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0-50mA

1nA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0-40V

1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0-40V

1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0-10uA

1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0-40V

1mV

     華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀測(cè)試的IGBT參數(shù)包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門(mén)極漏流)、IGESR(反向門(mén)極漏流)、VGETH(門(mén)檻電壓/閾值)、VGEON(通態(tài)門(mén)極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態(tài)集極漏流)、VF二極管壓降、等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2以?xún)?nèi)重復(fù)測(cè)試精度。

     可以用在電動(dòng)汽車(chē)電控的測(cè)試,

1、     測(cè)試關(guān)斷時(shí)CE之間耐壓和漏電流,測(cè)試電壓條件為VGE=0V,VCE=700V。

2、     測(cè)試反向二極管導(dǎo)通時(shí)EC之間壓降,測(cè)試條件為VGE=0V,IEC=250A

3、     測(cè)試導(dǎo)通時(shí)CE之間壓降,測(cè)試條件為VGE=15V,ICE=500A

    華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與原出廠(chǎng)指標(biāo)比較,由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),以便在測(cè)試時(shí),提供內(nèi)部電路及電池組充電之用; 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)5KV。

測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,但只要使用其基本的2項(xiàng)功能:開(kāi)啟大電流壓降,關(guān)閉小電流的漏電流,就可知道大功半導(dǎo)體有沒(méi)有老化的現(xiàn)象。

優(yōu)勢(shì)行業(yè):電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車(chē)組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀

    華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測(cè)試 , 廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車(chē) ,風(fēng)力發(fā)電 ,變頻器, 焊機(jī)行業(yè)的  IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。能夠通過(guò)電腦操作成IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;

整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢(xún)功能,可生成測(cè)試曲線(xiàn),方便操作使用。

 

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀 測(cè)試實(shí)例

 

 

 Vce-Ic特征曲線(xiàn)


華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀Vgth-Vce特征曲線(xiàn)


測(cè)試界面

華科智源大功率IGBT模塊測(cè)試儀華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測(cè)試 , 廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車(chē) ,風(fēng)力發(fā)電 ,變頻器, 焊機(jī)行業(yè),充電樁的  IGBT來(lái)料選型和失效分析以及在線(xiàn)檢修.地鐵高鐵大修車(chē)間檢修用IGBT測(cè)試儀

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