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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐(PECVD系統(tǒng))

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更新時(shí)間:2024-03-11 20:38:55瀏覽次數(shù):182

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)要描述:PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)行的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng);借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn);

詳細(xì)介紹

品牌HAOYUE/皓越升溫速度(達(dá)到溫)10℃min
加熱方式合金電阻絲控溫精度±1℃
溫度1200℃價(jià)格區(qū)間5萬-10萬
儀器種類管式爐產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域化工,地礦,能源,電子,冶金

一、產(chǎn)品應(yīng)用

   PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)行的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng);借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn);

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

   1、整機(jī)采用SUS304不銹鋼材質(zhì),流線型外觀,真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。

   2、爐子底部裝有一對(duì)滑軌,移動(dòng)平穩(wěn),可以手動(dòng)從一端滑向另一端,實(shí)現(xiàn)快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實(shí)時(shí)觀察加熱的物料。

   3、采用高純石英管,高溫下化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng),耐腐蝕,熱膨脹系數(shù)極小。

   4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空,一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。

   5、加熱元件采用康奈爾發(fā)熱絲,表面負(fù)荷高、經(jīng)久耐用。設(shè)計(jì)溫度1200℃,升溫速率10℃/min。

   6、可選配多路質(zhì)量流量計(jì),數(shù)字顯示、氣體流量自動(dòng)控制;內(nèi)置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控制面板上的旋鈕來調(diào)節(jié)氣體流量。

   7、等離子射頻電源:大射頻功率達(dá)500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

三、技術(shù)參數(shù)

型號(hào)

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE 

HTF1200-5/20-4M-LV-PE 

HTF1200-6/40-2M-HV-PE 

HTF1200-8/40-4M-HV-PE 

設(shè)計(jì)溫度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控溫精度(℃)

±1 

±1

±1 

±1 

加熱區(qū)直徑(mm)

25 

 50

60 

80 

加熱區(qū)長(zhǎng)度(mm)

200 

 200 

400 

400 

加熱管長(zhǎng)度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

恒溫區(qū)長(zhǎng)度(mm)

80 

80 

150 

150 

額定電壓(V)

220 

220 

220 

220

額定功率(KVA)

1.2 

1.2 

3 

3 

射頻電源功率(W)

5~300 

5~300 

5~500 

5~500 

真空機(jī)組

HTF-101 

HTF-101 

HTF-104 

HTF-104 

供氣系統(tǒng)

HTF-2F 

HTF-4F

HTF-2M 

HTF-4M 

 



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