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高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長(zhǎng)溫度,晶體生長(zhǎng)腔可最大壓力可達(dá)300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長(zhǎng)...
高溫高壓燒結(jié)爐Walker型 & Kawai型Multi-Anvil分壓裝置是目前應(yīng)用廣泛的6-8式二級(jí)加壓高溫高壓裝置。利用碳化鎢壓砧,可在樣品上產(chǎn)生 20G...
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