開啟式管式爐PECVD系統(tǒng)

開啟式管式爐PECVD系統(tǒng)由高溫管式爐,真空壓強(qiáng)控制系統(tǒng),多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng),過壓保護(hù)及冷凝等部分組成,可實(shí)現(xiàn)真空達(dá)0.1mbar混合氣體化學(xué)氣相沉積和擴(kuò)散試驗(yàn)。

功能特點(diǎn)：
在真空壓力下，加在電感線圈的射頻電場，使反應(yīng)室氣體發(fā)生輝光放電，在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上，并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成介質(zhì)膜，副產(chǎn)物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走，稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉(PECVD)
產(chǎn)品用途：
PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)由開啟式管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成，是實(shí)驗(yàn)室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等的理想選擇。
適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用
產(chǎn)品參數(shù)

• 控溫方式：采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能，并可編制30段升降溫程序。
• 加熱元件：0Cr27Al7Mo2
• 工作電源：AC220V 50Hz/60Hz
• 額定功率：4kw
• 爐管材質(zhì)：高純石英管
• 爐管尺寸：Φ60/Φ80*1200mm
• 工作溫度：≤1150℃(可定制)
• 溫度：1200℃(可定制)
• 恒溫精度：±1℃
• 恒溫區(qū)：200mm(可定制)
• 升溫速度：≤10℃/min
• 密封方式：不銹鋼快速法蘭擠壓密封
• 極限真空：6.0×10-5Pa
• 工作真空：7.6×10-4Pa
• 產(chǎn)品配置：雙級旋片真空泵+分子泵
• 測量方式：復(fù)合真空計(jì)
• 真空規(guī)管：電阻規(guī)+電離規(guī)
• 冷卻方式：風(fēng)冷
• 抽速：110L/S
• 射頻電源系統(tǒng)
• 射頻功率輸出范圍：5~500W
• 射頻頻率：13.56MHz±0.005%
• 噪聲：≤55DB
• 冷卻方式：風(fēng)冷
• 功率溫定度：± 0.1%
• 混氣系統(tǒng)流量規(guī)格：0－200sccm （可根據(jù)客戶需要配置）
• 線性：±1.5%F.S
• 準(zhǔn)確度：±1.5%F.S
• 重復(fù)精度：±0.2%F.S.
• 響應(yīng)時(shí)間：≤8sec
• 耐壓：3MPa
• 氣路通道：4通道（根據(jù)客戶需求）
• 針閥：316不銹鋼
• 管道：Φ6mm不銹鋼管
• 接口：SwagelokΦ6mm