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詳細(xì)介紹
產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：
混氣管式PECVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計(jì)、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成
PECVD設(shè)備是借助于光放電等方法產(chǎn)生等離子體，光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單。
軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過(guò)電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來(lái)，隨時(shí)可以調(diào)出。
產(chǎn)品用途：
混氣管式PECVD系統(tǒng)可在片狀或類(lèi)似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類(lèi)金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、裝飾等領(lǐng)域。
產(chǎn)品參數(shù)：
混氣管式PECVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計(jì)、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成
PECVD設(shè)備是借助于光放電等方法產(chǎn)生等離子體，光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單。
軟件控制系統(tǒng)：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過(guò)電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來(lái)，隨時(shí)可以調(diào)出。
產(chǎn)品用途：
混氣管式PECVD系統(tǒng)可在片狀或類(lèi)似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類(lèi)金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、裝飾等領(lǐng)域。
產(chǎn)品參數(shù)：
- 產(chǎn)品型號(hào)：S-1200PC-HQ
- 氣路控制：浮子流量計(jì)/質(zhì)量流量計(jì)
- 真空系統(tǒng)：旋片泵/擴(kuò)散泵/分子泵
- 可選配件：水冷機(jī)/數(shù)顯真空計(jì)
- 溫度：1200℃(可定制)
- 工作溫度：≤1100℃(可定制)
- 加熱元件：合金加熱絲
- 溫控方式：智能化30段PID微電腦可編程控制
- 溫控保護(hù)：具有超溫及斷偶報(bào)警功能
- 熱電偶：K型
- 爐膛材質(zhì)：高純氧化鋁多晶纖維
- 加熱速率：0-20℃/分
- 恒溫精度：±1℃
- 均勻性：±5℃
- 爐殼結(jié)構(gòu)：雙層殼體帶風(fēng)冷系統(tǒng)
- 額定功率：4Kw
- 極限真空：6.0×10-5Pa
- 工作真空：7.6×10-4Pa
- 供電電源：110-480V 50/60Hz
- 售后服務(wù)：12個(gè)月質(zhì)保，終身保修(易損件除外)
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