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適用于低飽和場(chǎng)、低Hc磁性薄膜材料的磁性能研究,在電磁鐵類的鐵芯剩磁效應(yīng)方面可以準(zhǔn)確定出H=0的點(diǎn),特別適用于鐵磁/反鐵磁界面的磁性釘扎效應(yīng)研究,諸如釘扎型自旋閥薄膜、釘扎型磁性隧道結(jié)構(gòu)的薄膜、AMR效應(yīng)的玻莫合金磁性膜等。由于設(shè)備中的檢測(cè)線圈在不用時(shí)可以任意抬起而不占有效磁場(chǎng)的空間,從而可充分利用該設(shè)備的磁場(chǎng)作AMR、GMR、JMR等磁電阻特性測(cè)量。此設(shè)備適用軟磁薄膜的磁特性測(cè)量,作為研究生的測(cè)
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