產(chǎn)品信息
特 點(diǎn)
●膜厚測量范圍65nm~92μm(換算為SiO2)
●最短曝光時(shí)間1ms~※根據(jù)規(guī)格
●由于是柔性纖維光學(xué)系統(tǒng),容易組裝到半導(dǎo)體工藝裝置中
●可從上層遠(yuǎn)程控制
●于研磨中膜厚終點(diǎn)檢測
基本配置
裝置組裝示意圖
測量案例
適應(yīng)過程示例
CMP工藝
蝕刻工藝
成膜工藝
等等
仕様
MCPD-9800仕様
MCPD-9800仕様