氮?dú)饧兓b置

1、HSDC-A型氮?dú)饧兓b置
技術(shù)指標(biāo)：
純度:≥99.9995%
氧含量:≤5ppm
氫含量:500ppm-5%(可調(diào))
露點(diǎn):≤-70℃
特點(diǎn):
采用好催化劑除氧，不需活化，除氧范圍廣，
適用于含氧量較高，對過量氫不作要求的工藝生產(chǎn)。
工藝流程:


2、HSDC-B型氮?dú)饧兓b置
技術(shù)指標(biāo)：
純度:≥99.9995%
氧含量:≤5ppm
氫含量:500ppm-5%(可調(diào))
露點(diǎn):≤-70℃
特點(diǎn):
本工藝適用于加過量氫除氧后再除氫和加欠量氫后再深度除氧的兩種方式，純化后氮?dú)庵兄缓形⒘垦鯕夂臀⒘繗錃猓m用于對過量氫有一定要求的工藝場合。

3、 HSDC-C型氮?dú)饧兓b置
技術(shù)指標(biāo)：
純度:≥99.9995%
露點(diǎn):≤-70℃
氧含量:≤5ppm
二氧化碳含量:5ppm
純氣壓力:0.05-0.8MPa
特點(diǎn):
原料氣氧量含量小于5000ppm時(shí)，用碳載脫氧劑，不需配氫，碳纖維既是載體又是還原劑，可直接脫除惰性氣體、氮?dú)庵械难?，脫氧容量大，深度好，適用于無氫源的場合。

技術(shù)指標(biāo)：
純度:≥99.9995%
氧含量:≤5ppm
氫含量:1ppm
露點(diǎn):≤-70℃
特點(diǎn):
原料氣氧量含量小于1000ppm時(shí)，使用好脫氧劑除氧，氮?dú)饧兌群蛪毫Σ皇軞錃庥绊憽?br>