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訂制環(huán)形硅探測(cè)器

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱南京盈波光電科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2021/7/28 14:28:09
  • 訪問次數(shù)384
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南京盈波光電科技有限公司依托國(guó)內(nèi)科研院所技術(shù)，致力于高品質(zhì)的光電儀器研發(fā)，并提供以客戶為導(dǎo)向的光學(xué)儀器和解決方案。創(chuàng)始人劉教授入選南京321人才計(jì)劃。公司主營(yíng)全元素快速檢測(cè)分析儀、光譜儀、激光器、光學(xué)機(jī)械，以及各類光電系統(tǒng)和軟件的訂制服務(wù)。在此基礎(chǔ)上還可以服務(wù)于基礎(chǔ)教學(xué)，訂制教學(xué)儀器系統(tǒng)。
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訂制環(huán)形硅探測(cè)器
訂制環(huán)形硅探測(cè)器 產(chǎn)品信息

訂制環(huán)形硅探測(cè)器



訂制環(huán)形探測(cè)器參數(shù)：

光譜范圍300nm-1100nm
峰值響應(yīng)600nm-700nm
(1)  響應(yīng)度 K。 。在λ=630nm、U=-1.5v、負(fù)載電阻
LR= 1KΩ 時(shí)，響應(yīng)度
K 大于 0.4mA/mW,且響應(yīng)度線性好， 當(dāng)負(fù)偏壓超過 1.5V 后， 響
應(yīng)度基本保持不變.
(2)  飽和電流。各探測(cè)單元的飽和電流需要求達(dá)到 mA 級(jí)，功
率要求達(dá)到 mW 級(jí)。
(3)  最小探測(cè)功率。最小探測(cè)功率要求小于 1nW。
(4)  光譜響應(yīng)范圍。 。峰值響應(yīng)波長(zhǎng)在 600∼ 700nm 之間。
(5)  均勻性 。各探測(cè)單元的均勻性小于± 5%。
(6)  反向擊穿電壓 。各探測(cè)單元的反向擊穿電壓大于>5V。
 
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