一.產(chǎn)品簡介
HD6000高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場或?qū)嶒炇覝y試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。儀器為一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置介損測試電橋,可變頻調(diào)壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器。測試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變?yōu)?0Hz、47.5Hz52.5Hz、45Hz55Hz、60Hz、57.5Hz62.5Hz、55Hz65Hz,采用數(shù)字陷波技術(shù),避開了工頻電場對測試的干擾,從根本上解決了強(qiáng)電場干擾下準(zhǔn)確測量的難題。同時適用于全部停電后用發(fā)電機(jī)供電檢測的場合。該儀器配以絕緣油杯加溫控裝置可測試絕緣油介質(zhì)損耗。
HD6000高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀儀器主要具有如下特點(diǎn):
1.超大液晶中文顯示
操作簡單,儀器配備了的全觸摸液晶顯示屏,超大全觸摸操作界面,每過程都非常清晰明了,操作人員不需要額外的專業(yè)培訓(xùn)就能使用。輕輕點(diǎn)擊一下就能完成整個過程的測量,是目前非常理想的智能型介損測量設(shè)備。
2.海量存儲數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲器,保存數(shù)據(jù)200組,能將檢測結(jié)果按時間順序保存,隨時可以查看歷史記錄,并可以打印輸出。
3.科學(xué)*的數(shù)據(jù)管理
儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導(dǎo)出,可在任意一臺PC機(jī)上通過我公司軟件,查看和管理數(shù)據(jù)。
4.多種測試模式
儀器使用內(nèi)高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的方式測試,正接法、反接法、自激法。
5.CVT測試一步到位
該儀器還可以測試全密封的CVT(電容式電壓互感器)C1、C2的介損和電容量。
6.不拆高壓引線測量CVT
儀器可在不拆除CVT高壓引線的情況下正確測量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。
7.CVT反接屏蔽法測量C0
儀器可采用反接屏蔽法測量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。
8.高速采樣信號
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
9.多重保護(hù)安全可靠
儀器具備輸入電壓波動、高壓電流、輸出短路、電源故障、過壓、過流、溫度等多重保護(hù)措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備設(shè)置接地檢測功能,確保不接地設(shè)備不允許升壓。
二.工作原理
在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時,電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ,ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx),如圖2所示。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測量線路組成,被試回路由被試品和測量線路組成。測量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。通過測量電路分別測得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,再由數(shù)字信號處理器運(yùn)用數(shù)字化實時采集方法,通過矢量運(yùn)算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施,保證在外電場干擾下準(zhǔn)確測量。
三.技術(shù)參數(shù)
1 | 使用條件 | -15℃∽40℃ | RH<80% | ||
2 | 抗干擾原理 | 變頻法 | |||
3 | 電 源 | AC 220V±10% | 允許發(fā)電機(jī) | ||
4 | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV | ||
精 度 | 2% | ||||
電流 | 200mA | ||||
容 量 | 2000VA | ||||
5 | 自激電源 | AC 0V∽50V/15A | 50HZ、60HZ單頻 45HZ/55HZ 47.5HZ/52.5HZ 55HZ/65HZ 57.5HZ/62.5HZ 自動雙變頻 | ||
6 | 分 辨 率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.001pF | ||
7 | 精 度 | △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%) | |||
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF) | |||||
8 | 測量范圍 | tgδ | 無限制 | ||
C x | 15pF < Cx < 300nF | ||||
10KV | Cx < 40 nF | ||||
5KV | Cx < 150 nF | ||||
1KV | Cx < 300 nF | ||||
CVT測試 | Cx < 300 nF | ||||
9 | 外型尺寸(主機(jī))(mm) | 350(L)×270(W)×270(H) | |||
外型尺寸(附件箱)(mm) | 350(L)×270(W)×160(H) | ||||
10 | 存儲器大小 | 200 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲 | |||
11 | 重量(主機(jī)) | 22.75Kg | |||
重量(附件箱) | 5.25Kg |
更多產(chǎn)品詳情請咨詢武漢華頂電力設(shè)備有限公司
電介質(zhì):能夠被電場極化的物質(zhì),可以理解為絕緣材料。它也有電導(dǎo),但它的泄漏電流很小,即導(dǎo)體和電介質(zhì)的本質(zhì)區(qū)別就在于導(dǎo)體中有可以自由移動的帶電質(zhì)點(diǎn),其電阻率很小僅有10-8~10-4Ωm,而電介質(zhì)因為材料原子中的原子核對電子的束縛,不能形成自由電子,只是分散的帶電質(zhì)點(diǎn),其電阻率可達(dá)107~1020Ωm。但不導(dǎo)電的電介質(zhì)是不存在的,在外電場的作用下,這些分散的帶電質(zhì)點(diǎn)沿電場的方向運(yùn)動就形成了泄漏電流。泄漏電流可分為表面泄漏和體積泄漏兩部分。
電介質(zhì)的極化:絕緣材料中的帶電質(zhì)點(diǎn)在外電場的作用下沿電場方向的有規(guī)律、有限的移動,并顯示出極性,當(dāng)外電場消失時期又恢復(fù)原狀。它分為電子式極化、離子式極化、偶極子式極化、夾層式極化。
電介質(zhì)的損耗:絕緣材料在電場的作用下會產(chǎn)生泄漏電流和極化現(xiàn)象,這必然伴隨著材料的發(fā)熱和能量的損失。它可分為:電導(dǎo)損耗(既電導(dǎo)電流使介質(zhì)發(fā)熱,交直流電場中都有)、
游離損耗(電壓高于某一值時,局部放電,電壓越高,損耗越大,在交直流電場中都存在)、
極化損耗(只在交變電場中存在,偶極子扭來扭去,產(chǎn)生摩擦損耗和內(nèi)部電場電勢的平衡形成的電流產(chǎn)生的損耗)。一般用tgδ來表述電介質(zhì)的損耗,它只與絕緣材料的性質(zhì)有關(guān),而與它的結(jié)構(gòu)、形狀、幾何尺寸無關(guān),有以下公式判斷比較:
tgδ = IR / IC = U / R /(UωC)= 1 / ω R C ①
P = U *(U / R)= U2 ωC tgδ ②
從②式進(jìn)行分析:U與頻率一定時,P ∝ tgδ
由于C = εS / D 對于同類型的電介質(zhì),其ε是定值,電容基本不變,則可以直接從tgδ值判斷絕緣的優(yōu)劣,是否整體性受潮或者表面臟污等。
電介質(zhì)的吸收現(xiàn)象:絕緣材料在外電場的作用下體現(xiàn)出來的電流的性質(zhì),可分為電容電流Ic,它主要體現(xiàn)在彈性極化過程中;吸收電流Ia,它主要體現(xiàn)在夾層式極化和偶極子式極化過程中;電導(dǎo)電流Ig,它主要體現(xiàn)為泄漏電流,因為表面電導(dǎo)和體積電導(dǎo)的存在。吸收現(xiàn)象與電介質(zhì)表面臟污程度,溫度高低,受潮程度的不同而變化。因此在試驗過程中,一定要注意環(huán)境溫度的影響和采取一定的屏蔽措施。由于材料的多層和復(fù)雜化,夾層式極化的現(xiàn)象尤為突出,則吸收比和極化指數(shù)的測試對檢查材料絕緣的好壞,是否整體受潮和臟污時有著非常重要的作用。
電介質(zhì)的擊穿:在強(qiáng)電場作合肥市高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀價錢合肥市高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀價錢用下,絕緣材料使出絕緣性能而成為導(dǎo)體即為擊穿,一般可分為電穿、熱擊穿、放電穿(絕緣油)。絕緣性能喪失,一般空氣間隙 30 KV / cm,固體絕緣是指達(dá)到溫度極限形成熱擊穿,而絕緣油油應(yīng)去除雜質(zhì),設(shè)置屏障,防止小橋形成以提高擊穿電壓。