電子束光刻膠 e-beam resist

類型

型號

特性

正膠

SX AR-P 6200

NEW!

超高分辨率電子束正膠，通過簡單的工藝即可得到10nm甚至更小的結(jié)構(gòu)。超高深寬比（20:1）、超高對比度（>15）。良好的耐干法刻蝕性能，是傳統(tǒng)PMMA膠的2倍。

*可以取代ZEP膠，經(jīng)濟實惠，并且采購簡單，包裝規(guī)格多樣化。

AR-P617

PMMA/MA共聚物

適合目前各種應(yīng)用需要的電子束光刻膠。靈敏度高，是普通PMMA膠的3~ 4倍，對比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通過雙層工藝實現(xiàn)lift-off工藝。

PMMA

PMMA（polymethyl methacrylate）是電子束曝光工藝中的正性光刻膠，是由單體甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）經(jīng)聚合反應(yīng)而成。

PMMA膠最主要的特點是高分辨率、高對比度、低靈敏度。

PMMA膠種類齊全，不同的系列中包含了各種分子量（50K, 200K, 600K, 950K），各種溶劑（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各種固含量的PMMA膠，以滿足各類電子束光刻的工藝要求。

PMMA膠可用于單層或雙層電子束曝光、轉(zhuǎn)移碳納米管或石墨烯、絕緣層等多種工藝。

（注：工廠可根據(jù)用戶的需求，定制所需分子量、固含量的PMMA膠。）

AR-P 6510

AR-P 6510是在PMMA的基礎(chǔ)上開發(fā)的厚膠。 另外，廠商可以根據(jù)客戶的具體需求來生產(chǎn)其他分子量的LIGA工藝用膠。主要用于LIGA工藝和X-Ray 曝光工藝。此類光刻膠型號齊全，厚度從10~250μm不等，圖形剖面陡直。

負膠

AR-N 7520

AR-N 7500

電子束負膠，高分辨率（30nm），對比度高（> 5），良好的耐等離子刻蝕性能，可以用于混合曝光。靈敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之間。

AR-N 7700

電子束負膠，化學(xué)放大膠，高靈敏度，高對比度，良好的耐等離子刻蝕刻蝕性能，可以用于混合曝光。

AR-N 7720

電子束負膠，用于三維曝光工藝。 化學(xué)放大膠，高靈敏度，對比度非常?。?1），非常適合制作三維結(jié)構(gòu)；也可以用于衍射光學(xué)及全息器件的加工。

X AR-N 7700/30

SX AR-N 7700/37

化學(xué)放大負膠，高分辨率，良好的耐等離子刻蝕能力，適合混合曝光。高靈敏度，靈敏度比AR-N 7700更高。

類型

型號

特性

顯影液

AR 300-26, -35

紫外光刻膠用 顯影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/電子束光刻膠用 顯影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA膠用 顯影液

定影液

AR 600-60,-61

電子束光刻膠用 定影液

除膠劑

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/電子束光刻膠用 除膠劑

稀釋劑

AR 600-01…09

PMMA膠 稀釋劑

AR 300-12

紫外/電子束光刻膠用 稀釋劑

增附劑

AR 300-80, HMDS

紫外/電子束光刻膠用 增附劑