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詳細(xì)介紹
NIE-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)
NIR-4000 IBE/RIE 雙刻蝕系統(tǒng)
通過加速的 Ar 離子進行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。通常情況下，樣品表面采用厚膠作掩模，刻蝕期間高能離子流將會對基片和光刻膠過加熱，除非找到合適的方法移除熱量，光刻膠將變得昂變得很難以去除。支持百級超凈間使用。
NANO-MASTER 擁有成熟的技術(shù)能力可以使基片溫度保持在50°C 以下。通過傾斜和旋轉(zhuǎn)，深溝可以切成斜角，通過控制側(cè)壁輪廓和徑向可提高均勻度。對于大尺寸的基片，我們配置線性離子源，通過掃描的方式，可以實現(xiàn)均勻的離子束刻蝕或反應(yīng)離子束刻蝕。不同的構(gòu)造不同的應(yīng)用可選擇不同的選配項，若要刻蝕之后馬上涂覆，可以增加濺射選項。對于標(biāo)準(zhǔn)的晶圓片，也可選擇自動裝載卸載晶圓片。
工藝過程通過觸摸屏電腦和 LabView 軟件，可實現(xiàn)全自動的 PC控制，具有高度的可重復(fù)性，且具有友好的用戶界面。
系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖，提供四級密碼訪問保護，防止使用者越權(quán)使用，含：
。 操作者權(quán)限：運行程序
。工藝師權(quán)限：添加/編輯和刪除程序
。工程師權(quán)限：可獨立控制子系統(tǒng)，并開發(fā)程序
。服務(wù)權(quán)限：NM 工程師故障診斷和排除
系統(tǒng)支持不限數(shù)量的工藝菜單，每套工藝菜單可根據(jù)需要支持 1到 100 個工藝工序（步驟），可實現(xiàn)簡單操作完成復(fù)雜的工藝。
系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配置包含渦輪分子泵和機械泵，極限真空可達到10-7 Torr 量級(可升級到 10-8Torr 量級)。分子泵與腔體之間的直連設(shè)計，系統(tǒng)可獲得真空傳導(dǎo)率，12 小時達到腔體極限真空。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動控制渦輪速度而全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定。雙真空計配置，可實現(xiàn)真空的全局測量和精確測量。
對標(biāo)準(zhǔn)晶圓可支持單片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升級，可自動進樣、對準(zhǔn)、出樣，在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片。Load Lock 腔體配套獨立真空系統(tǒng)，通過 PC 全自動監(jiān)控。
若離子銑工藝之后需要馬上進行反應(yīng)離子刻蝕處理，NMC 技術(shù)可以雙腔體系統(tǒng)，在一個系統(tǒng)的兩個腔體內(nèi)完成兩種不同的工藝，若加上自動傳輸，還可實現(xiàn)整個處理過程都不打破彼此真空狀態(tài)，實現(xiàn)非常高效的工藝處理
典型應(yīng)用：
。 三族和四族光學(xué)元件
。激光光柵
。高深寬比的光子晶體刻蝕
。在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕
。 微流體傳感器電極及測熱式微流體傳感器
設(shè)備特點：
。 24”x60”x10”長方或 14.5”立方型不銹鋼離子束腔體
。24”Wx10”H 或 8”測開門，帶 2 個 2”觀察視窗
。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)
。 倒裝磁控?zé)o柵無燈絲準(zhǔn)直 60cm 線性離子源(離子槍)，1500-2500V，并且高達 1000mA，無需中和器。
。 離子源均勻性可達+/-2.5%，操作壓力<1mTorr。與帶柵極離子源相比更可靠，更低維護，更少污染。
。 離子槍電源：4KV 電源
。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蝕應(yīng)用
。 反應(yīng)性氣體通過靶槍的長度方向引入，均勻分布
。冷卻水冷卻（背氦冷卻可選）
。 步進電機控制離子槍掃描或樣品臺旋轉(zhuǎn)/傾斜
。 手動或自動(自動僅對標(biāo)準(zhǔn)晶圓)上下載晶圓片
。 配套 1200L/Sec 渦輪分子泵，串接 2021C2 機械泵，帶
Fomblin 泵油
。 極限真空可達 7×10-7 Torr
。下游壓力通過 PC 對分子泵渦輪速度的控制自動調(diào)節(jié)
。SiN4 磁控濺射保護被刻蝕金屬表面以防氧化(選配)
。 基于 LabVIEW 軟件的計算機全自動工藝控制
。菜單驅(qū)動，密碼保護，*的安全聯(lián)鎖
。緊湊型設(shè)計，占地面積僅 26”Dx66”W,節(jié)省空間
系統(tǒng)可選：
。光譜終點探測器
。氦氣背部冷卻
。更大尺寸的電鍍方形腔體
。 自動裝載/卸載
。 低溫泵組
。 附加反應(yīng)氣體質(zhì)量流量控制器
。 格狀射頻電感耦合等離子體
。 用于鈍化層沉積的濺射源
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