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SPL針尖電子束光刻機(jī)

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更新時(shí)間:2021-07-20 20:23:01瀏覽次數(shù):299

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產(chǎn)品簡介

SPL德國Nano analytik(ParcanNano)針尖電子束光刻機(jī),基于掃描針尖低能電子場發(fā)射的原理、采用壓阻式微納米針尖和多維納米定位與測量技術(shù)、在半導(dǎo)體器件材料表面制造尺寸小于5納米線寬結(jié)構(gòu)的高性能微納加工系統(tǒng)。

詳細(xì)介紹

SPL德國Nano analytik(ParcanNano)針尖電子束光刻機(jī)

簡介:

公司以的針尖技術(shù)為核心競爭力,技術(shù)源自于德國伊爾默瑙工業(yè)大學(xué),致力于主動(dòng)式針尖技術(shù)在微納米結(jié)構(gòu)制備和表征方面的研發(fā),及其相關(guān)設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化。

公司研制一套基于掃描針尖低能電子場發(fā)射的原理、采用壓阻式微納米針尖和多維納米定位與測量技術(shù)、在半導(dǎo)體器件材料表面制造尺寸小于5納米線寬結(jié)構(gòu)的高性能微納加工系統(tǒng)。可在大氣環(huán)境下,高經(jīng)濟(jì)效益、快速直寫5納米以下結(jié)構(gòu)和制備納米級器件。該系統(tǒng)的閉環(huán)回路可實(shí)現(xiàn)使用同一掃描探針對納米結(jié)構(gòu)的成像、定位、檢測和操縱。

技術(shù)特點(diǎn):


。場發(fā)射低能電子束
。大幅降低電子束背底散射
。幾乎消除電子束臨近效應(yīng)
。光刻5納米以下單線寬結(jié)構(gòu)
。光刻結(jié)構(gòu)間距小于2納米
。接近原子級分辨的套刻精度
。線寫速度高達(dá) 300 μm/s
。大氣環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)正負(fù)光刻
。正光刻流程無需顯影步驟
。無需調(diào)制電子束聚光
。大范圍分步重復(fù)工藝
。Mix & Match 混合光刻模式
。針尖曝光與結(jié)構(gòu)成像實(shí)時(shí)進(jìn)行
。真空原位觀測光刻圖案

功能指標(biāo):

產(chǎn)品規(guī)格:

探針掃描頭配置:

樣品臺配置:

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