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霍爾效應(yīng)傳感器(磁場(chǎng)測(cè)量傳感器)

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更新時(shí)間:2021-05-14 16:01:50瀏覽次數(shù):384

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

霍爾效應(yīng)傳感器可為科學(xué)研究、醫(yī)療健康、航空航天和工業(yè)應(yīng)用提供高性能的模擬磁場(chǎng)測(cè)量。

詳細(xì)介紹

 

霍爾效應(yīng)傳感器可為科學(xué)研究、醫(yī)療健康、航空航天和工業(yè)應(yīng)用提供高性能的模擬磁場(chǎng)測(cè)量。

 

霍爾效應(yīng)傳感器(磁場(chǎng)測(cè)量傳感器)

Figure 1. sensor on test assembly

 

產(chǎn)品特點(diǎn):

•   超高分辨率

•   超低噪音性能

•   可在極低溫條件下使用

•   大動(dòng)態(tài)范圍

•   高線性

•   超低功耗運(yùn)行

 

 

簡(jiǎn)述:

利用石墨烯固有的低噪聲特性,無(wú)需信號(hào)調(diào)節(jié)即可提供出色的場(chǎng)分辨率。石墨烯的二維性質(zhì) 很大程度地降低了平面霍爾效應(yīng),并且石墨烯的穩(wěn)定性和電子 遷移率提供了 *的溫度和磁場(chǎng)工作范圍。

 

應(yīng)用包括:

•   精密磁場(chǎng)測(cè)量

•   場(chǎng)梯度和邊緣場(chǎng)的精確映射

•    高精度位置,旋轉(zhuǎn)和速度感應(yīng)

•   低溫下的超低功率場(chǎng)測(cè)量

 

優(yōu)點(diǎn):

可滿足各種應(yīng)用需求??梢岳玫膬?yōu)點(diǎn)包括

•   可以在 < 1.8 K - 353 K的溫度下運(yùn)行

•   在大磁場(chǎng)范圍(> 9 T)內(nèi)ppb磁場(chǎng)變化的分辨率

•   低至 10 nA的工作電流,節(jié)省了功率,僅產(chǎn)生5 pW的散熱

•   平面霍爾效應(yīng)可忽略不計(jì),有助于精確地確定儀器的擺放位置場(chǎng)方向

 

需要特定要求,請(qǐng)聯(lián)系我們info<info>

 

性能特點(diǎn):

Parameter

Symbol

Value (typical)

Unit

Notes

Maximum operating temperature range

T

1.8 to 353

K

Performance guaranteed within this range. Operation <1.8 K is possible

Measurable field range

B

>+/- 9

T

See Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearity

Open Circuit Sensitivity

S

1100

V/AT

@ room temperature. see Fig 3 for change with temperature

Open Circuit Hall Voltage

VH

110

mV

I=IN and B=1 T, increases with reducing temperature

 

 

Spectral Noise Density

 

 

SDT

7

 

         

µ??√????

10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.7

1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.3

10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.07

100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

 

Resolution, based on SDT on a 1 T field

 

RSND

7

 

ppm

10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.7

1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.3

10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.07

100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

RMS noise

??T2?

40

?T

0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

28

10 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

Linearity of Hall Voltage

% of full scale

FL

<0.5

%

-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T range

Corrected Linearity

 

<0.01

%

-1 to 1 T, after 3rd order correction

Planar Hall Effect

HPL

<10

µT

At I=IN , 1 T

Nominal Supply Current

IN

0.1

mA

Can be operated down to I=10 nA

Maximum Supply Current

Imax

1

mA

 

Supply Side Internal Resistance

RIN

22

k?

B=0 T

Hall Side Internal Resistance

ROUT

22

k?

B=0 T

 

Offset Voltage

 

VR0

8

mV

Typical offset voltage at I=IN and B=0 T

0.6

mV

Min offset voltage at I=IN and B=0 T

34

mV

Max offset voltage at I=IN and B=0 T

Temperature Coefficient of Sensitivity

TCS

-4.7

V/AT/K

@ room temperature, IN

 

 

高場(chǎng)和低溫性能

圖片1

                        Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T

 

圖片2

Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T.

 

 

封裝信息

有效面積:1.3 x 1.3 mm 位于封裝的中心封裝類型: 20-pin LCC, 陶瓷,無(wú)鎳, 表面貼焊。

 

Pin

Notes

VIN+

1 or 11

Input voltage can be supplied with either

polarity

VIN-

11 or 1

VH+

6 or 16

Hall voltage polarity will

depend on VIN polarity and field polarity

VH-

16 or 6

 

 

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