功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀

功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)特征：

● 測(cè)試范圍廣（19大類，27分類）
● 采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300uS
● 真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。（主流的直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)，其結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大）
● 系統(tǒng)故障在線判斷修復(fù)能力，便于應(yīng)急處理排除故障

功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀基礎(chǔ)配置：

分立器件測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、     IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
                BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS、
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
                IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO    (Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF      
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等；

深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。