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雪崩能量測試儀

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更新時間：2019-11-27 19:04:40瀏覽次數(shù)：1052

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產(chǎn)品簡介

雪崩能量測試儀系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá)2000J。

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用為廣泛的基礎(chǔ)元件，其性能表現(xiàn)對整個電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。

雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機，計算機將測試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進(jìn)行終的編輯和打印。

 

HUSTEC2020 雪崩能量測試儀

功能指標(biāo)：

配置

測試范圍

測試參數(shù)

條件

范圍

電壓
1000V 

IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管 

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V～4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V 
1000V~4500V±3%±10V

電流
200A

MOSFETs
MOS場效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 

Ic

1mA～200A

1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA 
2A～200A±3%±50mA
 

DIODEs
二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J～2000J

1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J 
500J～2000J±3%±10J
   

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A（取決于傳感器）
     

感性負(fù)載

10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 
     

重復(fù)間隙時間 

1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次
或

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