絕緣材料介質損耗因數(shù)測試儀

絕緣材料介質損耗因數(shù)測試儀  是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至 低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。

絕緣材料介質損耗因數(shù)測試儀 測量范圍及誤差

    本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30％－80％條件下，應滿足

下列表中的技術指示要求。

    在Cn＝100pF    R4＝3183.2（W）（即10K/π）時

    測量項目       測量范圍             測量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質損耗tgd      0～1              ±1.5％tgdx±0.0001

    在Cn＝100pF      R4＝318.3（W）（即1K/π）時

    測量項目       測量范圍             測量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質損耗tgd      0～0.1          ±1.5％tgdx±0.0001

儀器正常工作條件

a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；            

b. 相對濕度：<80％；          

c. 電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。   

儀器特點：

☆接線簡單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測量電壓緩升、緩降，全自動測量，結果直讀，無須換算。

☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內/外標準電容器和內/外試驗電壓進行測量。正接線可測量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強烈震動顛簸而不會損壞。

☆ 抗*力強 采用自動跟蹤干擾抵償電路，將矢量運算法與移相法結合，有效地消除強電場干擾對測量的影響，適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場試驗。

☆CVT測量 *自激法測量CVT功能，不需外加任何設備，可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線（三根電纜，不用倒線），一個測量過程（大約1分鐘），兩個 終測量結果（C1和C2的介損及電容值）。測量過程中文顯示，能實時監(jiān)測自激電流值和試驗電壓（高壓）值。能消除引線對測試的影響，測量結果準確可靠。

☆ 安全措施

（1）高壓保護：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能迅速切斷高壓輸出。

（2）CVT保護：設定自激電壓的過流點，一旦超出設置的電流值，儀器自動退出測量，不會損壞設備。

（3）接地檢測：儀器有接地檢測功能，未接地時不能升壓測量。

（4）防誤操作：具備防誤操作設計，能判別常見接線錯誤，安全報警。

（5）防“容升”：測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗電壓恒定。

☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器，在嚴冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機，以中文方式打印輸出測量結果及狀態(tài)。

☆RS232 儀器具有RS232接口，與計算機連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計和處理及保存。

☆可選購與計算機通信應用程序。

一個高品質因數(shù)（Q)的電感器是測量系統(tǒng)*的輔助工具，關乎測試的靈敏度和精度，在系統(tǒng)中它與平板電容（BH916）構成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本系統(tǒng)*的電感器為LKI-1電感組，共由9個高性能電感器組成，以適配不同的檢測頻率。

電感：

線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

高頻西林電橋

    這種電橋通常在中等的電壓下工作，是比較靈活方便的一種電橋;通常電容 C_N是可變的(在高壓電橋中電容 C_N通常是固定的)，比較容易采用替代法。

    由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加，因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路。

輔橋的技術特性：

    工作電壓±12V，50Hz

    輸入阻抗>1012　W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

不失真跟蹤電壓  0～12V（有效值）

電氣絕緣材料的性能和用途

 1、電介質的用途

 電介質一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質

2、影響介電性能的因素

 下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。

2.1頻率

 因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的 。r和 tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質材料，然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數(shù)和電容率。

 電容率和介質損耗因數(shù)的變化是由于介質極化和電導而產生， 重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的.

2.2溫度

 損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個 大值，這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質損耗指數(shù) 大值位置。

2.3濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質損耗因數(shù)和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是*的.

 注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在 1MHz以下及微波頻率范圍內

2.4電場強度

 存在界面極化時，自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加，其損耗指數(shù) 大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下，只要電介質中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質損耗因數(shù)與電場強度無關

使用前的準備 
1輸入電壓
輸入220V，有穩(wěn)定的電流和電壓環(huán)境

使用的周圍環(huán)境條件
。易燃易爆空氣環(huán)境            。不穩(wěn)定的工作臺面.
。陽光直射的地方.             。潮濕的地方.
。腐蝕性的空氣環(huán)境.           ?？諝馕廴净覊m重.

儲存和運輸
周圍環(huán)境
儀器可以在下列的條件下儲存和運輸：
周圍溫度……10°到60°C
高度……7620公尺（25000英尺）
本機必須避免溫度的急劇變化，溫度急劇變化可能會使水氣凝結于機體內部。

原始包裝：請保留所有的原始包裝材料，如果機器必須回廠維修，請用原來的包裝材料包裝。并請先與制造廠的維修中心聯(lián)絡。送修時，請務必將全部的附件一起送回，請注明故障現(xiàn)象和原因。另外，請在包裝上注明“易碎品”請小心搬運。