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日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器
日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器
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更新時間:2018-05-14 09:00:00瀏覽次數(shù):240

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【簡單介紹】
日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器死循環(huán)或不正常程序代碼運行
當然這種死循環(huán)和不正常程序代碼并非設計人員有意寫入的,我們知道程序的指令是由字節(jié)組成的,有的是單字節(jié)指令而有的是多字節(jié)指令,當干擾產(chǎn)生后使得PC指針發(fā)生變化,從而使原來的程序代碼發(fā)生了重組產(chǎn)生了不可預測的可執(zhí)行的程序代碼,那么,這種錯誤是致命的,它會有可能會去修改重要的數(shù)據(jù)參數(shù),有可能產(chǎn)生不可預測的控制輸出等一系列錯誤狀態(tài)。
【詳細說明】

前言

日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器等傳感器*(廣州洋奕電子):,工sales1@gzyangyi.cn),我司為廣大客戶提供**產(chǎn)品,優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品、貼心服務,擁有大量庫存現(xiàn)貨,*!

 

一、日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器系列所有量程可選

    10KN,20KN,50KN,100KN,200KN,500KN

 

二、日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器對重要參數(shù)儲存的措施
一般情況下,我們可以采用錯誤檢測與糾正來有效地減少或避免這種情況的出現(xiàn)。根據(jù)檢錯、糾錯的原理,主要思想是在數(shù)據(jù)寫入時,根據(jù)寫入的數(shù)據(jù)生成一定位數(shù)的校驗碼,與相應的數(shù)據(jù)一起保存起來;當讀出時,同時也將校驗碼讀出,進行判決。如果出現(xiàn)一位錯誤則自動糾正,將正確的數(shù)據(jù)送出,并同時將改正以后的數(shù)據(jù)回寫覆蓋原來錯誤的數(shù)據(jù);如果出現(xiàn)兩位錯誤則產(chǎn)生中斷報告,通知CPU進行異常處理。所有這一切動作都是靠軟件設計自動完成的,具有實時性和自動完成的特點。通過這樣的設計,能大大提高系統(tǒng)的抗*力,從而提高系統(tǒng)的可靠性。

三、日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器死循環(huán)或不正常程序代碼運行
當然這種死循環(huán)和不正常程序代碼并非設計人員有意寫入的,我們知道程序的指令是由字節(jié)組成的,有的是單字節(jié)指令而有的是多字節(jié)指令,當干擾產(chǎn)生后使得PC指針發(fā)生變化,從而使原來的程序代碼發(fā)生了重組產(chǎn)生了不可預測的可執(zhí)行的程序代碼,那么,這種錯誤是致命的,它會有可能會去修改重要的數(shù)據(jù)參數(shù),有可能產(chǎn)生不可預測的控制輸出等一系列錯誤狀態(tài)。

 

四、日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器對干擾措施的軟件處理方法
電磁干擾源所產(chǎn)生的干擾信號在一些特定的情況下(比如在一些電磁環(huán)境比較惡劣的情況下)是無法*消除的,zui終將會進入CPU處理的的核心單元,這樣在一些大規(guī)模集成電路常常會受到干擾,導致不能正常工作或在錯誤狀態(tài)下工作。特別是像RAM這種利用雙穩(wěn)態(tài)進行存儲的器件,往往會在強干擾下發(fā)生翻轉(zhuǎn),使原來存儲的“0”變?yōu)?ldquo;1”,或者“1”變?yōu)?ldquo;0”;一些串行傳輸?shù)臅r序及數(shù)據(jù)會因干擾而發(fā)生改變;更嚴重的會破壞一些重要的數(shù)據(jù)參數(shù)等;造成的后果往往是很嚴重的。在這種情況下軟件設計的好壞直接影響到整個系統(tǒng)的抗*力的高低。

五、日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器模擬信號輸出
有些稱重儀表廠家為降低成本,往往采用12位脈寬調(diào)制方法輸出模擬信號,這有幾個壞處:1.由于脈沖來自單片機系統(tǒng),占用晶振資源,往往造成輸出模擬值滯后儀表讀數(shù)很多;

2.低位數(shù)的脈寬調(diào)制往往在重復性、線性上較差,再加上信號給上位機進行A/D轉(zhuǎn)換又有精度損失,故此方案用于配料精度高場合不可行。UNI800稱重儀表及TR700稱重變送器由于采用16位DA轉(zhuǎn)換輸出模擬信號而成為較佳的選擇。

 

六、日本NTS LXR-20KN 稱重傳感器退耦電容配置
PCB設計的常規(guī)做法之一,是在印刷板的各個關鍵部位配置適當?shù)耐笋铍娙?。退耦電容的一般配置原則是:
a.電源輸入端跨接10~100μF的電解電容器。如有可能,接100μF以上的更好。
b.原則上每個集成電路芯片都應布置一個0.01pF的瓷片電容。如遇印刷板空隙不夠,可每4~8個芯片布置一個1~10pF的鉭電容。
c.對于抗噪聲能力弱、關斷時電源變化大的器件,如RAM、ROM存儲器件,應在芯片的電源線和地線之間直接接入退耦電容。
d.電容引線不能太長,尤其是高頻旁路電容不能有引線。

 

 



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