前言

PST-20Kg  美國MKCELLS稱重傳感器等傳感器*(廣州洋奕電子)：，周工sales1@gzyangyi.cn）,我司為廣大客戶提供**產(chǎn)品,優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品、貼心服務(wù),擁有大量庫存現(xiàn)貨,*!

一、PST-20Kg 美國MKCELLS稱重傳感器型號(hào)種類

二、PST-20Kg 美國MKCELLS 對(duì)重要參數(shù)儲(chǔ)存的措施
一般情況下，我們可以采用錯(cuò)誤檢測與糾正來有效地減少或避免這種情況的出現(xiàn)。根據(jù)檢錯(cuò)、糾錯(cuò)的原理，主要思想是在數(shù)據(jù)寫入時(shí)，根據(jù)寫入的數(shù)據(jù)生成一定位數(shù)的校驗(yàn)碼，與相應(yīng)的數(shù)據(jù)一起保存起來；當(dāng)讀出時(shí)，同時(shí)也將校驗(yàn)碼讀出，進(jìn)行判決。如果出現(xiàn)一位錯(cuò)誤則自動(dòng)糾正，將正確的數(shù)據(jù)送出，并同時(shí)將改正以后的數(shù)據(jù)回寫覆蓋原來錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)；如果出現(xiàn)兩位錯(cuò)誤則產(chǎn)生中斷報(bào)告，通知CPU進(jìn)行異常處理。所有這一切動(dòng)作都是靠軟件設(shè)計(jì)自動(dòng)完成的，具有實(shí)時(shí)性和自動(dòng)完成的特點(diǎn)。通過這樣的設(shè)計(jì)，能大大提高系統(tǒng)的抗*力，從而提高系統(tǒng)的可靠性。

三、PST-20Kg  死循環(huán)或不正常程序代碼運(yùn)行
當(dāng)然這種死循環(huán)和不正常程序代碼并非設(shè)計(jì)人員有意寫入的，我們知道程序的指令是由字節(jié)組成的，有的是單字節(jié)指令而有的是多字節(jié)指令，當(dāng)干擾產(chǎn)生后使得PC指針發(fā)生變化，從而使原來的程序代碼發(fā)生了重組產(chǎn)生了不可預(yù)測的可執(zhí)行的程序代碼，那么，這種錯(cuò)誤是致命的，它會(huì)有可能會(huì)去修改重要的數(shù)據(jù)參數(shù)，有可能產(chǎn)生不可預(yù)測的控制輸出等一系列錯(cuò)誤狀態(tài)。

四、PST-20Kg 對(duì)干擾措施的軟件處理方法
電磁干擾源所產(chǎn)生的干擾信號(hào)在一些特定的情況下（比如在一些電磁環(huán)境比較惡劣的情況下）是無法*消除的，zui終將會(huì)進(jìn)入CPU處理的的核心單元，這樣在一些大規(guī)模集成電路常常會(huì)受到干擾，導(dǎo)致不能正常工作或在錯(cuò)誤狀態(tài)下工作。特別是像RAM這種利用雙穩(wěn)態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)的器件，往往會(huì)在強(qiáng)干擾下發(fā)生翻轉(zhuǎn)，使原來存儲(chǔ)的“0”變?yōu)?ldquo;1”，或者“1”變?yōu)?ldquo;0”；一些串行傳輸?shù)臅r(shí)序及數(shù)據(jù)會(huì)因干擾而發(fā)生改變；更嚴(yán)重的會(huì)破壞一些重要的數(shù)據(jù)參數(shù)等；造成的后果往往是很嚴(yán)重的。在這種情況下軟件設(shè)計(jì)的好壞直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的抗*力的高低。

五、PST-20Kg 模擬信號(hào)輸出
有些稱重儀表廠家為降低成本，往往采用12位脈寬調(diào)制方法輸出模擬信號(hào)，這有幾個(gè)壞處：1.由于脈沖來自單片機(jī)系統(tǒng)，占用晶振資源，往往造成輸出模擬值滯后儀表讀數(shù)很多；2.低位數(shù)的脈寬調(diào)制往往在重復(fù)性、線性上較差，再加上信號(hào)給上位機(jī)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換又有精度損失，故此方案用于配料精度高場合不可行。UNI800稱重儀表及TR700稱重變送器由于采用16位DA轉(zhuǎn)換輸出模擬信號(hào)而成為較佳的選擇。

六、PST-20Kg 退耦電容配置
PCB設(shè)計(jì)的常規(guī)做法之一，是在印刷板的各個(gè)關(guān)鍵部位配置適當(dāng)?shù)耐笋铍娙?。退耦電容的一般配置原則是：
a．電源輸入端跨接10～100μF的電解電容器。如有可能，接100μF以上的更好。
b．原則上每個(gè)集成電路芯片都應(yīng)布置一個(gè)0.01pF的瓷片電容。如遇印刷板空隙不夠，可每4～8個(gè)芯片布置一個(gè)1～10pF的鉭電容。
c．對(duì)于抗噪聲能力弱、關(guān)斷時(shí)電源變化大的器件，如RAM、ROM存儲(chǔ)器件，應(yīng)在芯片的電源線和地線之間直接接入退耦電容。
d．電容引線不能太長，尤其是高頻旁路電容不能有引線。