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Hiden SIMS Workstation二次離子質(zhì)譜儀

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更新時(shí)間:2024-03-15 10:34:44瀏覽次數(shù):233

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

核心參數(shù)質(zhì)量分辨率0.5 amu質(zhì)量分析范圍1000 amu原始束流或速能量25KeV儀器種類四極桿

詳細(xì)介紹

核心參數(shù)

  • 質(zhì)量分辨率0.5 amu

  • 質(zhì)量分析范圍1000 amu

  • 原始束流或速能量25KeV

  • 儀器種類四極桿


產(chǎn)品介紹

儀器簡(jiǎn)介:
1. 適合做多層薄膜的深度分析。
2. 很好的、耐用的、普通目的的二次離子質(zhì)譜儀。
3. 方便使用。
4. 樣品可以手動(dòng)轉(zhuǎn)換,由于分析速度快所以每天可以分析一定數(shù)量的樣品。
5. 我們的系統(tǒng)可配置快速原子槍,使我們可以輕松處理絕緣的樣品。
6. 我們還可以做元素成像(就象化學(xué)地圖)和混合模式掃描,自動(dòng)測(cè)量正、負(fù)和中性粒子。
7. 我們的系統(tǒng)是典型的超高真空工作臺(tái),很容易滿足很多其它分析的使用。

結(jié)構(gòu)緊湊,但不損失性能。真正的高性價(jià)比。

技術(shù)參數(shù):
質(zhì)量數(shù)范圍:300,510或1000amu
分辨率:5%的谷,兩個(gè)相連的等高峰。
檢測(cè)器:離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器,正、負(fù)離子檢測(cè)
檢測(cè)限:1:10E7
質(zhì)量過(guò)濾器:三級(jí)過(guò)濾四極桿(9mm桿)
主離子槍: A,氧離子或其它氣體,能量到5KeV
          B,Ga離子槍,能量25KeV(選配)
空間分辨率:A:100~150um
           B: 50nm
取樣深度:2個(gè)單分子層(靜態(tài))
         不受限制(動(dòng)態(tài))


主要特點(diǎn):
? 高靈敏度脈沖離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器,7個(gè)數(shù)量級(jí)的動(dòng)態(tài)范圍
? SIMS 成像,分辨率在微米以下
? 光柵控制,增強(qiáng)深度分析能力
? 所有能量范圍內(nèi),離子行程的最小擾動(dòng),及恒定離子傳輸
? 差式泵3級(jí)過(guò)濾四極桿,質(zhì)量數(shù)范圍至1000amu
? 靈敏度高 / 穩(wěn)定的脈沖離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器
? Penning規(guī)和互鎖裝置可提供過(guò)壓保護(hù)
? 通過(guò)RS232、RS485或Ethernet LAN,軟件 MASsoft控制


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