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力可LECO GDS850輝光放電光譜儀

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更新時(shí)間:2024-03-15 10:22:09瀏覽次數(shù):254

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

核心參數(shù)儀器種類(lèi)進(jìn)口輝光放電光譜儀

詳細(xì)介紹

核心參數(shù)

  • 儀器種類(lèi)進(jìn)口輝光放電光譜儀


產(chǎn)品介紹

儀器簡(jiǎn)介:

GDS850輝光放電光譜儀

輝光放電光譜法采用低壓,冷激發(fā)光源,材料被氬離子流均勻地從樣品表面剝離濺射。 被濺射出的材料原子在遠(yuǎn)離樣品表面低氬的等離子體內(nèi)被激發(fā)。 GDS850的配備提高了實(shí)驗(yàn)室的質(zhì)量控制和研發(fā)能力,它提供了非常準(zhǔn)確的基體分析以及成分深度剖析涂層分析和表面處理的結(jié)果。 儀器檢測(cè)光譜范圍從120到800納米,最多配置58個(gè)通道。

特征

  • 濺射與激發(fā)分離

  • 寬動(dòng)態(tài)范圍的線性校準(zhǔn)曲線

  • 更小自吸收和材料再沉積

  • 原子線激發(fā)

  • 少和窄的發(fā)射線減少干擾

  • 無(wú)冶金記憶效應(yīng)

  • 較少的校準(zhǔn)標(biāo)樣

  • 低氬氣消耗

  • 兩次分析間的自動(dòng)清掃

均勻的濺射


其他方法可能只是激發(fā)樣品表面,所采集的數(shù)據(jù)并不一定具有代表性。而輝光放電,樣品材料均勻地從表面激發(fā)濺射, 冷光源的激發(fā)為一些困難樣品的檢測(cè)提供了很好的技術(shù)。

以下為對(duì)一個(gè)硬盤(pán)表面100nm深度每種元素3次分析的結(jié)果,可以看到每種元素隨深度的分布。 

可選件


  • 射頻光源

  • 統(tǒng)計(jì)軟件包

  • 光源套件

  • 樣品夾持器

  • SMARTLINE遠(yuǎn)程診斷軟件求

  • 耗材

相關(guān)信息

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