詳細介紹 ·技術(shù)優(yōu)勢 中心傳感單元采用高精度硅技術(shù)，鉑金級精度 ±0.05% 雙過載保護膜片設計，單向過壓可達40MPa 優(yōu)異的靜壓性能，遠非同場合電容式產(chǎn)品所能媲比，靜壓誤差可控制在±0.05%/10MPa以內(nèi) 100:1的量程比調(diào)節(jié) EMC符合GB/T 18268.1-2008 ·技術(shù)參數(shù) 參數(shù) 最小 測量范圍（未遷移） 400Pa 4000kPa 量程比 10：1 100：1 環(huán)境溫度 -40℃ +85℃ 溫度影響量 -20℃～65℃:±(0.075×TD+0.025)%×Span ±0.04%×Span(TD=1)/10℃ -40℃～-20℃ & 65℃～85℃:±(0.1×TD+0.025)%×Span 準確度等級 ±0.05% / ±0.1% 長期漂移 ±0.1%×Span/ 3年 組態(tài)屬性 線性/ 平方根/ 自由編程 重量 3.3kg 總線標準 4～20mA/HART
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