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1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

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更新時(shí)間:2023-07-15 09:33:21瀏覽次數(shù):216

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專(zhuān)門(mén)為在金屬箔表面生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。

 

1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV操作視頻

 

產(chǎn)品型號(hào)

1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

安裝條件

本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:不需要

2、電:AC220V 50Hz,必須有良好

3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氣體,需自備氣瓶氣源

4、落地式,占地面積:尺寸1600mm×600mm×700mm

5、通風(fēng)裝置:需要

主要特點(diǎn)

1、采用高純氧化鋁保溫材料,保證了的溫度均勻性。

2、內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口氧化鋁涂層,可以提高反射率和保護(hù)爐膛潔凈度。

3PID控制器 ,可以設(shè)置30段升降溫程序。

4、金屬箔纏繞在內(nèi)管的外表面上發(fā)CVD反應(yīng)

5、采用雙管真空密封法蘭,允許反應(yīng)氣體通過(guò)兩管之間(10mm間隙)。

6、卻氣體直接通入內(nèi)管。

7、有帶KF25快接和波紋管的高速機(jī)械泵。

8、爐底部裝有滑軌,爐體可從一端滑向另一端,從而實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫。為了獲得較快的加熱速度,可以先將爐體預(yù)熱,然后滑至放置樣品處;為了獲得較快的冷卻速度,可將爐體滑至另一端,同時(shí)將冷氣通入樣品所在處。

9、密封法蘭系統(tǒng)采用不銹鋼制作。

10、已通過(guò)CE認(rèn)證。

技術(shù)參數(shù)

管式爐

1電源:?jiǎn)蜗?/span>AC 208V-240V   50Hz/60Hz  2.5KW 20A保險(xiǎn)絲)

2、石英管:外管外徑Ø100mm,內(nèi)徑Ø96mm,長(zhǎng)1400mm

內(nèi)管外徑Ø80mm內(nèi)徑Ø75mm,長(zhǎng)1400mm

3、加熱元件:摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲(表面涂有氧化鋯)

4、加熱區(qū)域:440mm

5、恒溫區(qū)域:120mm(±1℃在400-1100℃)

6、工作溫度:1100,連續(xù)工作1000

7、升降溫速率:20/min

8、控溫精度:±1

9、真空度:10-3torr(機(jī)械泵),10-5torr(分子泵)

質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)

1、質(zhì)子流量計(jì):4路精密質(zhì)子流量計(jì),數(shù)字顯示,氣體流量自動(dòng)控制

MFC1范圍0-100sccm,MFC2范圍0-200sccmMFC3范圍0-200sccm,MFC1范圍0-500sccm

2、流量精度:0.2%

3、氣路:4路(每個(gè)氣路都有一個(gè)獨(dú)立的不銹鋼針閥控制)

4進(jìn)出氣口:1/4卡套

5、混氣罐:1個(gè)

產(chǎn)品規(guī)格

尺寸:管式爐550mm×380mm×520mm,移動(dòng)架600mm×600mm×597mm

重量:135kg

可選配件

1、分子泵

2、雙溫區(qū)管式爐

3、銅箔(生長(zhǎng)石墨烯150mm×150mm×25µm


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