詳細(xì)介紹
單晶硅等硅材料、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。目前對其清洗和生產(chǎn)的水質(zhì)精度要求都比較高,電阻度一般要求大于10兆歐/厘米;
其主要工藝如下:
1、采用反滲透水處理設(shè)備與離子交換設(shè)備進(jìn)行組合的方式,其基本工藝流程為:原水→沙炭過濾器→精密過濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→混床(復(fù)床)→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)
2、采用反滲透水處理設(shè)備與電去離子(EDI)設(shè)備進(jìn)行搭配的的方式,這是一種制取超純水的工藝,也是一種環(huán)保,經(jīng)濟(jì),發(fā)展?jié)摿薮蟮某兯苽涔に?,其基本工藝流程為:原水→沙炭過濾器→精密過濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→電去離子(EDI)→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)
涂料、油漆和清洗劑的生產(chǎn)
,由于生產(chǎn)時對純水的精度要求的不同,其工藝也有很大的區(qū)別,以下是提供的四種主要工藝,可按照以下后綴的水質(zhì)精度要求,選擇對應(yīng)的工藝和流程;
二、 主要工藝介紹:
1、采用一級反滲透方式,其流程如下:
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→反滲透 →純水箱→純水泵→用水點(diǎn)(電導(dǎo)率:≦10us/cm)
2、采用二級反滲透方式,其流程如下:
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→反滲透 →純水箱→純水泵→用水點(diǎn)(電導(dǎo)率:≦2us/cm)
3、采用離子交換方式,其流程如下:
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級反滲透→中間水箱→中間水泵→混床→純水箱→純水輸送泵→用水點(diǎn)(電阻值:≧5Ω /cm)
4、采用EDI方式,其流程如下:
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→級反滲透 →PH調(diào)節(jié)→第二級反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)→中間水泵→EDI系統(tǒng)→純水箱→純水泵→用水點(diǎn)(電阻值:≧15Ω /cm)